2019年8月底，世纪金光半导体模块产品再添新成员，推出可满足大功率转换应用的1200V/600A全SiC模块新品。本产品通过全新的模块内部结构及散热设计，实现了600A额定电流，由此，在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。

据介绍，本次推出的1200V全SiC模块系列产品，其电流分为600A和300A两个等级，导通电阻分别为2.2mΩ和4.7mΩ。产品拥有L封装和K封装两种半桥封装形式。与前期推出的分立器件产品一样，SiC模块MOS芯片采用可靠性较高平面栅工艺，SBD芯片采用第二代JBS工艺，既可有效降低损耗，还保障运行中的高可靠性。

该系列产品的推出，将满足功率转换应用（譬如电机驱动器、逆变器、DC/DC变换器等）对于高能效SiC解决方案不断快速增长的需求。

4产品特点及优势

由于宽禁带半导体材料特有的材料优势，SiC 器件漂移区的阻抗比Si器件低，因此不需要进行电导率调制就能够实现高耐压和低电阻。可采用不产生拖尾电流MOSFET技术，所以碳化硅MOSFET替代 IGBT 时，能够明显地减少开关损耗，并且实现散热部件的小型化。碳化硅MOSFET能够更高频条件下驱动，从而实现被动器件的小型化。同时，与之配对的碳化硅二极管技术，无少子存储效应，可实现快速、稳定的恢复特性。

Cengol全碳化硅功率模块与同规格的IGBT模块开关损耗对比

（损耗数据来源业内最常用的一款IGBT模块数据手册）

备注：以上数据仅表示CENGOL的评估结果，仅供参考。此处的任何特性并非CENGOL的保证值。另，针对600A下SiC模块的损耗，我们按照“在大电流下损耗同电流是近似线性关系”这一规律，折算出600A条件下SiC的损耗数据。

4目标电路示意

4新品阵容

世纪金光作为一家从设计研发到封装测试为一体的第三代半导体IDM企业，其产品阵容囊括具有自主知识产权的6英寸碳化硅衬底、碳化硅单晶片、wafer、多种规格及封装形式的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅功率模块等一系列碳化硅全产业链产品。此次新品的推出，将进一步完善世纪金光模块产品在大电流中的选型应用。

保持一贯的严谨细致的作风，世纪金光新品均经过严格的测评，可针对不同行业用户提供选型送样验证服务，欢迎咨询。

全碳化硅模块选型：