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产品类别	型号	产品描述
其他化合物半导体	InAs	可用于制作波长2——12μm的红外发光器件及中红外量子级联激光器。这些红外器件在气体检测、低损耗光纤通信领域有良好的应用前景。
其他化合物半导体	InP	具有电子极限漂移速度高、耐辐射性好、导热好的优点。适用于制造高频、高速、大功率微波器件和集成电路。
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